技术编号：12474112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种成像装置、制造该成像装置的方法和照相机。背景技术在成像装置中，如果产生了残像，则图像质量降低。残像的原因是在硅中存在氧。专利文献1涉及固态成像器件。该文献描述了半导体基板中的氧浓度越低，残像量越小。专利文献1：日本专利公开No.2007-251074在专利文献1中，对残像抑制的检查不足。因此，在专利文献1中描述的固态成像装置中，在氧浓度不是足够低的像素中可能产生残像。本发明是认识到上述问题而被提出的，并且提供有利于抑制残像产生的技术。发明内容根据本发明的第一方面，提供了一种制造成像...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。