技术编号：12474299
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LED晶胞的制造方法。背景技术发光二极管（LED）是由数层很薄的掺杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。LED的制造流程主要包括：由蓝宝石做衬底，生长GaN发光外延层；然后在发光外延层上进行光刻工艺，对发光外延层进行刻蚀，以形成完全分离的LED晶胞。现有技术中的缺点是：根据外延层的厚度，光刻胶的厚度一般要达到10微米以上，才能达到完全分离LED的要求，否则根据刻蚀选择比，干法刻蚀会...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。