技术编号：12476115
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳电子技术－高密度信息存储领域，涉及一种CoPtx纳米复合结构电磁存储器件及制备方法。背景技术基于电荷存储机制的闪存存储器，随着器件尺寸的减小，很难突破22纳米技术节点的工艺瓶颈，无法满足信息领域的迅猛发展。一种新型的非易失性存储器件－阻变随机存储器（resistiverandomaccessmemory,RRAM）应运而生。阻变存储器件的信息读写，是依靠读取或者改变阻变材料的电阻来实现的，其功能层具有高阻态和低阻态，对应“0”和“1”两种状态，在不同外加电压条件下，阻变存储器件可在...
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