技术编号：12481641

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实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的照明装置。背景技术由于物理和化学特性，第III-V族氮化物半导体作为诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)等发光器件的核心材料而受到关注。第III-V族氮化物半导体通常由分子式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料形成。发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电转换成红外线或可见光来交换信号的半导体器件，并且用作光源。使用这种氮化物半导体材料的LED或LD广泛地用于发光器件来获得光，并且用作各种类型...
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