技术编号：12514184
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用含镓的P型氧化物半导体的有机发光二极管及其制造方法。背景技术目前在为制造高效率的有机发光二极管而正在进行开发。其中空穴的移动是非常重要的部分。典型的空穴注入层为聚(3，4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸钠(Poly(3，4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate)；PEDOT：PSS)层，但在空穴的注入与移动及有机发光二极管的效率方面具有局限性。并且，将PEDOT：PSS作为空穴注入层的情况下需要退火(annealing)时间，因此具有...
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