技术编号：12514649
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池生产技术领域，尤其涉及一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片。背景技术在管式PECVD实验过程中，通常会用到大量的假片作为实验的陪片，而陪片则是用于将空缺位用填满的废硅片，由于这个空缺位的硅片扩散出来的方阻不理想，所以用陪片填补，因而该位置的硅片不用于生产正常片。为了减少成本，通常这些陪片在连续使用5次后，会全部取出来进行返工处理，返工处理后进行重复使用。然而，现有技术中应用于管式PECVD实验过程中的陪片，由于其经管式PECVD沉积工艺之后，沉积的氮化硅膜层酸洗难度...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。