技术编号：12542144
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种具有非对称源极/漏极结构的FinFET及其制造方法。背景技术晶体管是现代集成电路的关键组件。为满足逐渐更快速度的要求，晶体管的驱动电流需要逐渐增大。由于晶体管的驱动电流与晶体管的栅极宽度成比例，因此优选具有更大宽度的晶体管。然而，栅极宽度的增加与减小半导体器件的尺寸的要求相冲突。因此开发出了鳍式场效应晶体管（FinFET）。FinFET的引入具有在不占用更多片上面积的情况下增加驱动电流的有利特点。然而，FinFET晶体管的小尺寸引起了在它们的制造和生产...
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