技术编号：12585273
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种溅射沉积工艺及溅射沉积设备。背景技术物理气相沉积技术或溅射沉积技术是半导体工业中最广为使用的一类薄膜制造技术，其可应用很多工艺中，如铜互连工艺、封装领域中的硅穿孔工艺等。随着半导体技术的不断发展，集成电路的尺寸越来越小，为获得更佳的刻蚀形貌，在Low-K材料上需要沉积TiN(氮化钛)来作为金属硬掩膜；随着尺寸逐渐进入到20nm以下工艺节点，对TiN沉积薄膜密度要求也越来越高，例如，一般在32nm工艺节点时TiN薄膜的密度要求在4.4～4.6g/cc，在2...
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