技术编号：12598900
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种碳化硅衬底的刻蚀方法。背景技术SiC(碳化硅)材料具有禁带宽度大、击穿场强高、介电常数小等优点，在制备高温、高频、大功率、抗辐射的半导体器件及紫外光电探测器等方面具有极其广泛的应用，被誉为前景十分广阔的第三代半导体材料。刻蚀技术是SiC器件研制中的一项关键支撑技术，刻蚀工艺的刻蚀精度、刻蚀损伤以及刻蚀表面的残留物均对SiC器件的性能有重要影响。由于SiC材料硬度高、化学性质稳定，湿法刻蚀无法达到要求，因此目前对SiC的刻蚀常采用等离子体干法刻蚀工艺，刻蚀的基...
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