技术编号:12599008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例是有关于一种半导体制作工艺,且特别是有关于一种用于设计半导体器件的系统。背景技术在半导体制作工艺中,当半导体器件的单个层中的多个特征被定位成比图案化分辨率容许值(patterningresolutionpermits)更为靠近时,往往使用多个掩模(mask)来对所述特征进行图案化。将所述半导体器件的所述单个层的所述特征分隔成不同的掩模,以使得每一掩模包括被通过等于或大于图案化分辨率参数的距离所分隔开的多个特征。在某些情形中,利用两个掩模的工艺(process)被叫做双重图案化(dou...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。