技术编号:12635272
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于金属氧化物材料技术领域,具体涉及一种氧化亚锡材料及其制备方法。背景技术氧化亚锡(SnO),又称一氧化锡。氧化亚锡是一种重要的金属氧化物,其直接光学带隙为2.5-3.4eV,是一种天然的p型半导体,因其大的空穴迁移率而备受关注。近年来,氧化亚锡因其高的理论比容量(875mAh/g),在锂离子电池领域得到了广泛的应用,同时,氧化亚锡还可应用于气敏材料、催化剂材料和制备二氧化锡的前驱体等方面。然而,由于氧化亚锡是亚稳材料,不能在自然界直接获得,所以,有关不同形貌和尺寸的氧化亚锡制备方法的研究...
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