技术编号：12680109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET及其制备方法。背景技术MOS器件，即金属-氧化物-半导体场效应管，自问世起其结构、性能就完全不同于早先的双极型集成电路，MOS集成电路具有输入阻抗高、抗干扰能力强、功耗小、集成度大等优点，因而成为超大规模集成电路时代的主流。MOS器件根据衬底的不同，导电沟道的不同，分为NMOS、PMOS、CMOS，其中采用P型衬底形成N型沟道的MOS器件为NMOS。NMOS在Vgs大于定值后导通，该器件电流传输所依靠的载流子是...
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