技术编号：12698868
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属蚀刻领域，特别涉及一种双氧水稳定剂及双氧水蚀刻液。背景技术湿式蚀刻是半导体行业获取薄形精密微电子产品的常用手段，其一般包括如下三个步骤：(1)使金属蚀刻液扩散至待蚀刻的金属材料表面；(2)使金属蚀刻液与待蚀刻的金属材料发生化学反应；(3)反应后的产物从蚀刻后的金属材料表面扩散至溶液中，并随溶液排出。双氧水体系的金属蚀刻液作为常用的蚀刻液体系，具有蚀刻速率恒定且易控制，容金属量大，后处理简单等优点，被广泛用于湿式蚀刻领域。然而，在双氧水体系的金属蚀刻液中，由于常需要添加无机盐来调节体...
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