技术编号:12729074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率器件领域的大信号等效电路统计模型建模方法,特别涉及了一种碳化硅MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)导通电阻特性的建模方法。背景技术相比于传统硅(Si)材料,碳化硅(siliconcarbide,简称SiC)材料因其更宽的禁带宽度(3.26eV),更高的热导率,和更高的临界击穿场强,在大功率开关电路和电力系统应用领域得到了广泛的关注。SiC功率器件最突出的性能优势在于其高压、高频和高温工作特性,可以有效地降低电力电子系统的功率损耗。目前,国际上以美国Cree公司,日本Roh...
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