技术编号：12746643
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种双极型器件电离和位移辐射损伤缺陷辨别方法，属于双极型器件辐射损伤缺陷辨别技术领域。背景技术双极型器件具有优异的电流驱动能力、线性度、低噪声以及优良的匹配特性，是构成双极集成电路的基本单元，在航天器上有广泛的应用。但是，双极型器件对电离辐射效应、位移辐射效应均较为敏感。电离辐照会使双极型器件内产生空穴-电子对，空穴一旦产生，就会被浅能级缺陷俘获，通过极分子跃迁机制发生迁移。当空穴在氧化层中迁移时，会与含氢的缺陷发生反应，并释放出H+，H+被传输到界面时与Si-H键发生反应，形成界面态...
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