技术编号:12811660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化铝陶瓷基片,具体涉及一种添加氧化铝纳米粉进行改性的氮化铝陶瓷基片,还涉及该氮化铝陶瓷基片的生产方法。背景技术随着大功率模块电路集成度的提高以及大功率LED的发展,对所用绝缘基板材料提出了更高的要求,氮化铝陶瓷材料由于具有较高的热导率,已广泛应用于各种大功率电子原件的绝缘基板材料。然而,在一些小型化应用领域,除了具有较高的热导率外,还要求氮化铝陶瓷基板具有较高的机械性能,尤其是在厚度小于0.38mm的薄板中,要求氮化铝陶瓷基板具有较高的抗弯强度。在一些功率组件的散热基板或半导体器...
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