技术编号：12815580
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化学机械抛光液，尤其涉及一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液及其使用方法背景技术在如今的集成电路制造领域内，互连技术的工艺标准不断提高，具体表现为互连工艺的层数逐渐增加，同时其特征尺寸不断缩小，因此对硅片表面平整度的要求也越来越高。因为如果不能实现平坦化，则在半导体晶圆上创建复杂和密集的结构会非常有限，目前，化学机械抛光方法(CMP)是可实现整个硅片平坦化的最有效的方法。CMP工艺是一种通过化学和机械力获得表面平坦化的加工方法。典型的化学机械抛光方法主要利用固相反应的抛光原理，具体...
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