技术编号：12846540
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料领域，具体涉及可用作薄膜太阳能电池吸收层材料的窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法。背景技术Sb2S3是一种典型的过渡金属硫族化合物，它是典型的V-VI族化合物，是一种非常重要的直接带隙无机半导体。它的带隙值为1.5eV~2.2eV，同时，Sb2S3在波长小于900nm的范围内，呈现出较高的光吸收系数（α≈105cm-1）。Sb2S3对太阳光光谱的响应范围较宽，体现出优异的光敏性能。作为一种很有潜力的半导体材料，Sb2S3因为具有上述的物理特性及半导体属性，使其成为极具发...
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