技术编号：12865062
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及FinFET及其形成方法。背景技术随着半导体工业已步入纳米技术工艺节点，以追求更高的器件密度、更高的性能以及更低的成本，来自制造和设计问题的挑战已经带来了三维设计的发展，例如鳍场效应晶体管(FinFET)。典型的FinFET是利用从衬底延伸的薄垂直“鳍”(或者鳍结构)来制造的，例如，通过蚀刻掉衬底的部分硅层形成薄垂直“鳍”。FinFET的沟道形成于该垂直鳍中。栅极被提供于鳍的上方(例如，包裹)。栅极于沟道的两侧上允许了栅极从两侧控制沟道。然而，在半导体制造中执行这种特征和工艺还存...
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