技术编号：12880598
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种双面钝化太阳能电池。背景技术双面太阳电池发展的重要方向是采用双面钝化的结构，例如P型基片PERC(passivatedemitterandrearsidecell)电池和N型基片PERT(passivatedemitterandreartotaldiffused)电池等。由于硅片表面态的存在，使得表面的复合速率比较高，影响少数载流子(少子)寿命。钝化层通过化学钝化和场效应钝化作用，可以降低硅片表面的复合速率。化学钝化通过饱和硅片表面的悬挂键，降低各种缺陷...
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