技术编号：12907455
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种具有可控集电极槽的SOILIGBT技术领域本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有可控集电极槽的SOILIGBT(LateralInsulatedGateBipolarTransistor，横向绝缘栅双极型晶体管)。背景技术绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET场效应和双极型晶体管(Bipolarjunctiontransistor，BJT)等效复合的新型电力电子器件。它兼具了MOSFET输入阻抗高和驱动简单的优点，以及BJT器件电流密度高和低导通压降的优势，已成为现代电力电子电...
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