技术编号：12916743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种减少外延衬底缺陷的形成方法。背景技术在传统的外延衬底形成方法中，在远端和近端生长的单晶硅锭被切断从而形成块状，接着对块状进行外围打磨，并且形成定位边或定位V槽，用于起到位置指示的作用；接着，对块状进行切片处理，获得外延衬底；接着，对外延衬底进行倒角处理；接着，进行双面研磨(DoubleDiskSurfaceGrinding,DDSG)；接着，再进行单面研磨(SingleDiskSurfaceGrinding,SDSG)；接着，进行双面抛光处理(Doubl...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。