技术编号:12945915
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及传感器技术领域,尤其涉及磁场传感器,特别地,涉及一种单片集成二维磁场传感器。背景技术随着科学技术的迅速发展,传感器技术倍受重视,尤其是广泛应用于现代工业和电子产品的磁场传感器,而随着应用的广泛,对于磁场传感器集成化的要求也随之提高。在现有技术中,用于检测二维磁场的传感器包括磁敏三极管、磁通门、巨磁电阻(GMR)、隧穿磁敏电阻(TMR)、各向异性磁敏电阻(AMR)和霍尔元件等。二维磁场传感器多采用磁通门、霍尔元件、巨磁电阻等作为磁敏感单元,通过采用分立敏感元器件封装构成二维磁场传感器。但...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。