技术编号：12965801
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及Ⅲ族氮化物材料制备技术领域，特别是涉及一种In/Mg掺EBL层结构，具体是能够有效提高紫光二极管电子与空穴复合效率进而提高发光效率的外延结构及生长方法。背景技术发光二极管(LED，LightEmittingDiode)是一种半导体固体发光器件，其利用半导体PN结作为发光材料，可以直接将电转换为光。紫外LED，简称UV-LED，是指发光波长在100nm-400nm的LED，目前广泛应用的紫外线主要利用灯管内封装的汞加热激发发射出紫外光。由于含有有毒的物质汞，使得利用汞灯作为紫外光源不适合...
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