技术编号:13004480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体器件领域,特别是涉及一种平面型绝缘栅双极晶体管。背景技术绝缘栅双极型晶体管(lnsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是新型电力半导体器件具有代表性的平台器件,主要应用于新能源、机车牵引、智能电网、高压变频器等领域。通过电力半导体器件对电能进行变换及控制,节能效果可达10%-40%。在全球气候变暖的背景下,IGBT器件应用技术是被公认的实现全球能效和二氧化碳减排目标的最佳综合性方法之一。当IGBT器件正常工作情形下,空穴由背面P+区发出,流经N-...
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