技术编号：13008163
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电探测器领域，具体涉及一种含极化调控层的氮化物量子阱红外探测器及其制备方法。背景技术单一芯片上双波段、甚至多波段探测是未来探测技术发展的主要方向。从探测波段来看，紫外和红外探测技术是目前应用需求较广、发展较为成熟的两种探测技术。若在同一个芯片上集成紫外和中（远）红外两种波段的探测技术，则既能发挥紫外探测技术低背景噪声的优势，又能发挥红外探测技术远距离的优势，对于背景环境复杂的应用场景尤其适用。考虑到紫外和红外波段的波长跨度较大，选取合适的光敏材料是关键。AlGaN基第三代宽禁带...
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