技术编号:13008164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及红外探测器领域,具体涉及一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法。背景技术传统带间光吸收指电子吸收光子后,从价带跃迁到导带,从而产生一个光生电子空穴对,这些光生载流子在外加偏压的作用下,被收集形成光电流,这是传统基于带间吸收半导体光电探测器的基本原理。这种吸收要求光子的能量大于材料的禁带宽度,而对于红外光来讲,红外光波长长,相对应的能量小,需要材料具有很小的禁带宽度才能发生这种光吸收,因此,在基于传统带间吸收的红外探测器的制作过程中,材料的选择收到很大的限制,一般只能选用HgCd...
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