技术编号:13096197
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。集成电路、垂直金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法技术领域本发明的实施例涉及集成电路、垂直的金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法。背景技术半导体工艺的不断改善已经允许制造商和设计者能够创建更小、更强大的电子器件。半导体工艺已经从1971年左右达到的10μm工艺发展到2012年左右达到了22nm工艺技术。半导体工艺预期在2019年左右进一步发展到5nm的技术节点。随着半导体制造工艺的每一个进展,集成电路的器件和结构已经变得更小,这就允许在一个芯片上制造更多的组件。面临的一个挑战涉及在为更小的部件尺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。