技术编号:13139999
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术领域,尤其是涉及一种高压大功率碳化硅肖特基整流桥及其制备方法。背景技术碳化硅肖特基二极管反向恢复时间为零,因为其独特的势垒结构容易实现较高的反向击穿电压。目前碳化硅肖特基二极管单管方面已经做出了不少的品种,但是,由于产品的高压、大电流等特殊性能,无法直接应用传统整流桥的封装结构,需要面临以下几个封装难题:1)二极管芯片需要同时焊接4只,且芯片面积较大,要解决焊接可靠性的问题;2)传统的塑封材料不能胜任高压应用,在10kV的反压下芯片的反向漏电约在50微安,但是环氧塑料封装...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。