技术编号：13218144
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体器件制备技术领域，尤其是一种GaNHEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)上利用刻蚀和扩散技术实现降低欧姆接触退火温度的方法。背景技术GaN作为第三代半导体材料在功率器件中的应用受到了广泛的关注，其中基于AlGaN\/GaN异质结结构的HEMT具有高频、高功率密度以及高工作温度的优点，是固态微波功率器件和功率电子器件的发展方向。优异的欧姆接触是实现高性能GaN器件的基础，包括低的欧姆接触电阻率和良好的欧姆接触形貌。Ti\/Al\/Ni\/Au是应用最广泛的GaNHEMT欧姆接...
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