技术编号：13235039
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电功能材料特征参数的检测，具体涉及一种获取半导体材料辐射后载流子浓度重分布的方法。背景技术半导体中的迁移电子或空穴，即载流子，是现代(光)电子器件的功能载体。在光电器件中，载流子在不同能态间的跃迁，对应了光子的吸收和发射，从而实现光能和电能之间的转换。而航天器、卫星以及载荷等核心功能区域广泛采用半导体材料和器件，鉴于此，半导体功能结构中载流子的浓度及其微观分布布局特征是决定器件性能的基本信息，当半导体材料受到辐射影响时，其核心功能区域的载流子浓度会发生变化和重分布，在半导体量子...
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