技术编号:13251398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及化学机械抛光设备技术领域,具体涉及一种用于化学机械抛光设备的抛光液供应装置。背景技术化学机械抛光(CMP)是一种对半导体材料或是其它类型材料的衬底进行平坦化或是抛光的方法。广泛应用于集成电路(IC)制造业中。化学机械抛光是结合抛光液中化学溶液的腐蚀和磨粒的机械磨削双重作用,使硅晶片获得极高的平面度和平整度的一项工艺。抛光液的浓度和温度是影响化学反应速度的主要因素,为了保证硅片表面的平整度和平面度,抛光过程中的化学反应速度和机械作用速度必须一致,若化学反应速度大于机械作用速度...
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