技术编号：13299840
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置的制造方法，特别涉及柱电极的形成方法。背景技术近年来，随着便携电话以及数码相机等电子设备的小型化，强烈要求使在电子设备中所搭载的半导体装置的尺寸缩小。特别是，晶片级芯片尺寸封装（WL－CSP）能够使封装尺寸缩小到芯片尺寸，此外，还正在研究在密封树脂内安装有部件的WL－CSP。例如，专利文献1（日本特开2002－299496号公报）公开了一种半导体装置的制造方法，具有如下工序：形成将铜（Cu）层重叠为两级而成的柱电极；在密封树脂内安装作为部件的电容器部。在专利文献1的柱电极的形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。