一种多晶硅还原炉电极绝缘组件的制作方法技术资料下载

技术编号:13307586

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本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,具体涉及一种多晶硅还原炉电极绝缘组件。背景技术目前,国内外主流的多晶硅生产工艺采用改良西门子法。该方法的主要流程为:使氯气和氢气合成氯化氢;再使氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅;然后对三氯氢硅进行提纯,提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按一定的比例混合后,在1080℃~1150℃、0.55MpaG的条件下发生反应生成单质硅,并沉积在硅芯表面,从而生成棒状多晶硅产品。多晶硅还原炉对电极的绝缘性要求高。现有还原炉电极的绝缘结构主要包括绝缘套,以及氧化铝或氮化硅陶瓷环等。...
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