技术编号：13307586
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉电极绝缘组件。背景技术目前，国内外主流的多晶硅生产工艺采用改良西门子法。该方法的主要流程为：使氯气和氢气合成氯化氢；再使氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅；然后对三氯氢硅进行提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按一定的比例混合后，在1080℃～1150℃、0.55MpaG的条件下发生反应生成单质硅，并沉积在硅芯表面，从而生成棒状多晶硅产品。多晶硅还原炉对电极的绝缘性要求高。现有还原炉电极的绝缘结构主要包括绝缘套，以及氧化铝或氮化硅陶瓷环等。...
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