技术编号：13392361
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种功率半导体器件，特别是一种碳化硅上硅(silicon-on-silicon)半导体器件。背景技术能够在恶劣环境和/或高温(例如>300℃)下运行的半导体器件在广泛领域中受到极大关注，包括(但不限于)石油和天然气勘探、航空航天、运输和可再生能源。然而，高温趋于对现有的硅基器件具有不利影响。当环境温度升高到300℃及以上时，p-n结漏电流呈指数增加，并且漂移电阻和沟道电阻线性增加，导致功率损耗增加，并且导致由于自热引起的较大的热失控敏感性。功率半导体器件，例如绝缘栅双极晶...
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