技术编号：13392610
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本公开一般地涉及磁传感器装置和方法，并且更具体地讲，涉及使用磁阻结构的磁传感器装置和方法。背景技术磁阻效应包括许多不同物理现象，所有这些物理现象具有这样的共同点：可通过磁场穿透电阻元件的行为来改变电阻元件的电阻。利用磁阻效应的技术有时被称为“xMR技术”，其中“x”指示可在这里提及的许多效应，仅提到一些示例，比如巨磁阻(GMR)效应、隧道磁阻(TMR)效应或各向异性磁阻(AMR)效应。xMR效应可在各种基于场的传感器中被例如用于测量旋转、角度等。在一些应用中，尤其在与安全相关的应用中，需...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。