技术编号：13440708
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光晶体技术领域，具体为一种激光晶体单晶炉提拉生长工艺。背景技术激光晶体(lasercrystal)，可将外界提供的能量通过光学谐振腔转化为在空间和时间上相干的具有高度平行性和单色性激光的晶体材料，是晶体激光器的工作物质，目前的激光晶体上称重提拉生长设备：设备设计不合理，控制点位不合理，机械设计不专业，自动化部分缺失，控制延迟，检测功能缺失。发明内容本发明的目的在于提供一种激光晶体单晶炉提拉生长工艺，以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：1、将原料投入...
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