技术编号：13448661
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电学器件领域，具体涉及一种具有量子隧穿效应的器件，及其制备方法。背景技术电学领域已知的是，两块金属(或半导体、超导体)之间若存在真空或绝缘或半绝缘体，电子一般是无法由金属一侧穿越到另一侧的，此时的绝缘或半绝缘层对电子来说是一个壁垒，或称为势阱。然而，当电绝缘或半绝缘层的厚度与deBroglie波长相当时，电子可沿隧道穿过薄的电绝缘或半绝缘层，这种由于电子波特性引起的量子力学特性，就是著名的量子隧穿效应(Quantumtunnellingeffect)，也称约瑟夫森效应，其使得电子等微观...
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