技术编号:13532184
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明为有关于一种保护高压电路的装置,特别是关于一种可保护高压电路的低压金属氧化物半导体场效晶体管的栅极-源极接面的装置。背景技术集成电路制造工艺通常提供具有不同击穿电压的元件。有时,在电路的高压部分中使用低压元件可能是有利的。在这种情况下,必须保护低压元件承受高电压。例如,可以使用其中堆叠两个MOSFET(金属氧化物半导体场效晶体管)的高压MOSFET配置来实现保护MOSFET元件的漏极-源极。例如,可以通过连接在栅极和源极之间的多个二极管来保护栅极-源极电压。发明人已经确定了在使用二极管来保...
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