技术编号:13533483
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术随着CMOS器件尺寸的不断缩小,促进了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管,FinFET器件在沟道控制以及降低短沟道效应等方面具有更加优越的性能。当器件发展到14nm技术节点时,FinFET器件由于其优越的性能而成为了主流器件。由于金属栅极的带边功函数(bandedgeworkfunction)和优良的间隙填充能力,在半导体器件中通常采用金属栅极来代替常规的多晶硅栅极结构,如图1所示为常...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。