技术编号:13558575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种离子注入能量测试结构及测试方法、电子装置。背景技术近年来半导体制程技术突飞猛进,目前产品讲求轻薄短小,IC体积越来越小、功能越来越强、脚数越来越多,为了降低芯片封装所占的面积与改善IC效能,现阶段覆晶(FlipChip)方式封装普遍被应用于绘图芯片、芯片组、存储器及CPU等。上述高阶封装方式单价高昂,如果能在封装前进行芯片测试,发现有不良品存在晶圆当中,即进行标记,直到后段封装制程前将这些标记的不良品舍弃,可省下不必要的封装成本。目前工艺有一种常用的方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。