技术编号：13673007
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及微电子技术领域，特别是涉及一种晶圆减薄方法及减薄的晶圆结构。背景技术随着存储器和功率器件等应用朝着更小尺寸、更高性能的方向发展，对薄晶圆的需求也日益增长。更薄的晶圆能够带来众多好处，包括超薄的封装，以及由此带来更小的尺寸外形，还包括改善的电气性能和更好的散热性能。现阶段，最常规的半导体应用减薄工艺为磨削。TAIKO工艺是由迪思科科技有限公司开发的晶圆背面磨削技术，这项技术和以往的背面磨削不同，在对晶片进行磨削时，将保留晶片外围的边缘部分，只对圆内进行磨削薄型化。这种在晶圆外围留...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。