技术编号：13674081
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及对基板交替地供给作为处理气体的第一气体和第二气体来进行成膜处理的技术领域。背景技术作为对半导体晶圆(以下称为“晶圆”)例如进行氮化硅膜等薄膜的成膜的方法之一，已知一种向晶圆的表面依次供给薄膜的原料气体及与该原料气体反应的反应气体并将反应生成物进行层叠的所谓ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)法。作为使用该ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如能够列举如专利文献1所记载那样的结构，即在真空容器内设置用于使多片晶圆沿周向排列并进行公转的旋转台，并且以与该旋...
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