技术编号:13697357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月30日提交的美国临时专利申请第62\/098,101号的优先权,其全部内容通过引用结合于此作为参考。技术领域本发明涉及半导体领域,更具体地,涉及半导体结构及其制造方法。背景技术浅沟槽隔离(STI)为集成电路部件,其防止相邻半导体器件之间的电流泄漏。STI通常在250纳米及更小节点的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺技术中使用。较早的CMOS技术以及非金属氧化物半导体(MOS)技术通常使用基于硅的局部氧化(LOCOS)的隔离。发明内容根据本发明的一个...
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