技术编号:13707769
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明是关于一种具有与非(NAND,NotAND)型存储单元(memorycell)的闪速存储器(flashmemory),特别是关于一种存储器阵列(memoryarray)的布局(layout)结构及编程(program),尤其涉及一种半导体存储装置及其制造方法。背景技术NAND型闪速存储器具有存储单元阵列,该存储单元阵列形成有多个将存储单元串联连接而成的NAND串。典型的NAND串具有:串联连接的多个存储单元;位线选择晶体管,串联连接于多个存储单元的其中一个端部;以及源极线选择晶体管...
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