技术编号:13730108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。优先权声明和交叉引用本申请要求2014年12月24日提交的美国临时申请第62\/096,745号的权益,其全部内容结合于此作为参考。技术领域本发明的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及具有栅极堆叠件的半导体器件结构的结构和形成方法。背景技术半导体集成电路(IC)工业已经经历了快速增长。IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代IC。每一代IC都具有比前一代更小和更复杂的电路。在IC演化的过程中,功能密度(即,每芯片面积的互连器件的数量)通常已经增大,而几何尺寸(即,使用制造工艺可以产生的最小组件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。