技术编号:13812679
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子元器件技术领域,具体涉及一种衬底结构,本发明还涉及该衬底结构的制备方法。
背景技术
在制作GaN基LED芯片时,主要是将InGaN、GaN等材料和器件的外延层结构生长在蓝宝石、SiC、Si等衬底上。蓝宝石有许多优点,例如:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、成本低、晶体质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程中;最后,蓝宝石的机械强度高,易于处理和清洗。但使用蓝宝石作为GaN基LED外延衬底也存在一些问题,例如晶格失配、热膨胀系数失配以及...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。