技术编号:13847036
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本描述涉及半导体晶体管形成,并且特别地涉及掺杂的玻璃。背景技术FinFET(鳍式场效应晶体管)技术构建跨越硅基板的顶部的鳍片。与在硅基板的表面上形成晶体管(平面FET)不同,FinFET晶体管在鳍片上形成。基板的表面仍然可用于被用于其它结构,这增加了器件的总数。此外,FinFET的有效沟道宽度大于平面FET的有效沟道宽度。不论是鳍式类型还是平面类型,任何硅半导体晶体管都经历从电流源极(S)端子到漏极(D)端子的电流泄漏。为了减小鳍式FET中的泄漏,在鳍片的旁侧和下方对基板进行掺杂。此掺杂通过应用...
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