技术编号：13847048
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求享有2015年6月19日提交的美国专利申请No.14/744,703的、主题为“CIRCUIT AND LAYOUT FOR A HIGH DENSITY ANTENNA PROTECTION DIODE”的优先权，该申请在此通过全文引用的方式将其内容并入本文。技术领域本公开总体涉及电路和布图构造，并且更特别地涉及用于高密度天线保护二极管的电路和布图。背景技术天线效应是可以由于等离子体诱导的栅极电介质损伤而在金属氧化物半导体(MOS)集成电路的制造期间引起良率和可靠性问题的效应。为了避...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。