技术编号：13879664
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种纳米管存储器结构及其制备方法。背景技术对于不同架构的NAND存储器来说，按照存储层的材料可以划分为三维浮栅存储器和三维电荷俘获存储器。对于前者三维浮栅存储器由于采用多晶硅浮栅作为存储层，存储单元面积更大，在实现更多层存储单元层叠时工艺难度较大，因此主要是通过把外围电路置于存储阵列下面来实现面积的缩减。对于后者三维电荷俘获存储器，又可以划分为垂直栅型和垂直沟道型。基于垂直栅结构的三维电荷俘获闪存结构，工艺上要难于垂直沟道型，一直未见其宣告量产。垂直沟道型三...
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